STP13N95K3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP13N95K3是一款采用先进SuperMESH3技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过在单元密度和导通电阻（R_DS(on)）之间实现卓越的平衡，显著提升了功率转换效率。其核心优势在于极低的单位面积导通电阻，这得益于精细的沟槽栅极工艺和增强的电荷平衡机制，使得在承受高达950V漏源电压的同时，仍能保持较低的传导损耗。

在功能特性方面，STP13N95K3展现出优异的开关性能与坚固性。其最大导通电阻仅为850毫欧（在5A，10V条件下），配合低至51nC的栅极电荷（Qg），共同确保了快速开关能力和较低的总开关损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。器件具备±30V的宽栅源电压容限，增强了驱动电路的鲁棒性。高达190W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够在苛刻的热环境中稳定运行，并通过标准的TO-220通孔封装提供良好的散热路径。

从电气参数来看，该MOSFET的额定连续漏极电流为10A（Tc），其阈值电压V_GS(th)最大值为5V（在100A条件下），提供了明确的导通门槛。输入电容（C_iss）最大值为1620pF（在100V条件下），与低栅极电荷特性相结合，降低了对驱动电流的需求，简化了栅极驱动设计。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关解决方案，用户可通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

基于其高压、高效和坚固的特性，STP13N95K3非常适用于需要高可靠性和高效率的功率电子领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、以及电机驱动和逆变器中的高压侧开关。其设计旨在满足日益增长的对能源效率和功率密度的要求，是工程师设计下一代高性能电源产品的理想选择。

• 型号:STP13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP13N95K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括950V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Tc），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，典型值分别为850mΩ @ 5A，10V和51nC @ 10V，这有助于显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。此外，器件支持高达190W的功率耗散，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内工作，确保了在严苛环境下的高可靠性与稳定性。