STP13NK50Z

STP13NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在500V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的工作特性，为高压开关应用提供了一个可靠的基础。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的动态与静态性能上。在25°C的管壳温度（Tc）下，其连续漏极电流（Id）可达11A，最大功率耗散为140W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下，最大值仅为480毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在很低的水平，有助于提升整体系统的能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为47nC，这些参数共同决定了其开关速度与驱动要求，使其易于被标准PWM控制器驱动，并能在高频开关应用中实现快速的导通与关断。

在接口与参数方面，STP13NK50Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，满足高功率应用的热管理需求。其栅极-源极电压（Vgs）最大可承受±30V，为驱动电路的设计提供了充足的裕量。输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为1600pF，这是评估开关瞬态特性的重要参数。器件的工作结温（TJ）范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的适应性。对于需要采购此型号的工程师，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术支持与供货信息。

得益于其500V的高耐压、11A的电流能力以及SuperMESH技术带来的低导通损耗，STP13NK50Z非常适用于需要高效功率转换与管理的应用场景。典型的应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器、电子镇流器以及不同断电源（UPS）系统。在这些领域中，它能够作为核心开关元件，承担高电压、大电流的切换任务，是实现紧凑、高效能电源解决方案的关键组件之一。

• 型号:STP13NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP13NK50Z是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心参数包括500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在管壳温度25°C下11A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过SuperMESH技术优化，在保证高耐压的同时，实现了较低的导通电阻（Rds(on)最大值480mΩ @ 10V, 6.5A），这有助于降低导通损耗，提升系统效率。此外，最大47nC的栅极电荷（Qg @ 10V）和4.5V的栅极阈值电压（Vgs(th)）使其具备良好的开关特性，易于驱动，适用于高频开关场景。器件最大功率耗散为140W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 环境下的可靠运行。