STP140N6F7

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STP140N6F7是一款采用先进工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心在于通过精细的单元结构和高密度封装技术，在维持高耐压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的突出特性体现在其卓越的电气参数上。它具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）承载能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流余量。更为关键的是，其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为3.5毫欧（@40A, 10V），这直接转化为更低的导通压降和发热量，提升了能效。同时，其栅极电荷（Qg）控制在55nC（@10V）的水平，有助于降低开关损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关电源和电机驱动电路的设计非常有利。

在接口与热管理方面，STP140N6F7采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热处理。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了较宽的驱动安全范围。器件的热性能同样出色，最大结温（Tj）高达175°C，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达158W，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定货源和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供应链稳定的重要途径。

基于其优异的性能组合，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、无人机电调）、工业电源以及汽车电子中的辅助驱动模块。其平衡的电压、电流与开关特性，使其成为设计紧凑、高效能功率解决方案时的理想选择。

• 型号:STP140N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP140N6F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP140N6F7是STMicroelectronics推出的STripFET系列N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其优异的低导通电阻与高电流处理能力，其漏源电压（Vdss）为60V，在壳温条件下连续漏极电流（Id）可达80A。

其关键电气参数定义了出色的性能表现：在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为3.5毫欧（@40A），有效降低了导通损耗；同时，55nC（@10V）的栅极电荷有助于实现高效的开关操作。这些特性使其非常适用于要求高效率和高可靠性的功率开关与电机驱动应用。