STP140N8F7

STP140N8F7是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术和DeepGATE架构。该器件采用标准的TO-220通孔封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟槽栅极设计，在保持优异开关性能的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在功率转换系统中实现更低的传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气参数平衡。它具备80V的漏源击穿电压（Vdss）和高达90A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，为处理大电流提供了坚实的保障。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和45A电流条件下，典型值低至4.3毫欧，这一极低的Rds(on)值是实现高效率运行的关键。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为96nC（@10V），较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计，并有效降低高频开关应用中的驱动损耗，提升系统整体效率。

在接口与热管理方面，STP140N8F7支持±20V的最大栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为200W，结合TO-220封装良好的机械强度和散热特性，便于通过外部散热器进行高效热管理。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于其高性能参数，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或逆变器模块、不间断电源（UPS）以及各类DC-DC转换器。在这些应用中，STP140N8F7能够有效提升系统能效，减少热量产生，并有助于实现更紧凑的电源设计方案。

• 型号:STP140N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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STP140N8F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术开发的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件核心优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡，其漏源电压（Vdss）为80V，在25°C壳温下可连续通过90A电流。

其关键电气参数表现突出：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至4.3毫欧（@45A），能显著降低传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为96nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。