STP140NF55

STP140NF55是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造流程，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种架构的核心优势在于显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速的开关特性，使其非常适合在高频开关应用中实现高效率的能量转换。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为55V，为48V或更低电压总线系统提供了充足的设计裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值高达80A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流的测试条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为8毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的通态损耗和发热量，提升了系统的整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力和驱动简易性。

在动态参数方面，STP140NF55在10V Vgs下的最大栅极总电荷(Qg)为142nC，结合5300pF的典型输入电容(Ciss)，意味着其开关过程所需的驱动能量处于合理范围，有助于简化栅极驱动电路的设计并控制开关损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，为驱动设计提供了灵活性。其封装采用工业标准的TO-220AB通孔形式，便于安装散热器，在壳温(Tc)条件下最大功率耗散可达300W，结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，保证了其在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。用户可通过授权的ST代理商获取该产品的技术支持和供货服务。

凭借其高电流能力、低导通电阻和稳健的封装，该器件主要面向对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器、电机驱动控制器以及各类电源管理应用。例如，在服务器电源、工业变频器、电动工具以及大电流负载开关等场景中，它能有效承担主功率开关或同步整流的功能，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元件之一。

• 型号:STP140NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP140NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-220AB封装。该器件设计用于处理高达55V的漏源电压和80A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为8毫欧，能显著降低通态损耗，提升系统效率。

此外，该MOSFET具备合理的栅极电荷和输入电容，有利于实现快速的开关切换并控制驱动损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的最大功率耗散能力，确保了其在 demanding 应用环境下的高可靠性与热稳定性，适用于各类开关电源和电机驱动等功率转换场景。