STP141NF55

STP141NF55是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷，从而在功率转换效率和开关性能之间取得了出色的平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为55V，适用于多种中压应用环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达80A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为8毫欧，这一极低的导通阻抗直接转化为更低的导通压降和发热量，显著提升了功率路径的效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力，而±20V的最大栅源电压则为驱动电路设计提供了充足的裕量。

在动态参数方面，在10V Vgs条件下，其总栅极电荷（Qg）最大值为142nC，结合5300pF的输入电容（Ciss），表明该器件具有较快的开关速度，有助于降低高频开关应用中的开关损耗。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力在壳温条件下可达300W。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的工业与汽车环境。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方ST授权代理进行采购，以确保获得原厂正品和完整的技术支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻和稳健的封装，STP141NF55非常适合于对效率和可靠性有高要求的功率管理场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、无人机）、大电流开关模块以及各类电源中的同步整流和负载开关电路。其性能参数使其成为在12V至48V总线系统中构建高效、紧凑功率解决方案的理想选择。

• 型号:STP141NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP141NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，设计用于高效处理功率路径中的开关与传导任务。

其核心优势在于优异的电气性能组合：55V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）提供了坚实的功率处理基础。最关键的是，其在10V驱动下仅8毫欧的极低导通电阻（Rds(on)），能显著降低导通状态下的功率损耗。此外，142nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少动态损耗。

这些特性使STP141NF55成为要求高效率和可靠性的中压、大电流应用的理想选择，例如开关电源、电机驱动和各类功率转换模块。