STP14NF12FP

STP14NF12FP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220FP封装，专为需要高效功率开关和出色热管理的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过先进的沟槽工艺实现了低栅极电荷与低导通损耗的优异组合，为开关电源和电机控制等应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其120V的漏源击穿电压（V_DSS）与8.5A的连续漏极电流（I_D）能力，结合仅180mΩ（典型条件下）的低导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（V_GS）可承受±20V，提供了较高的噪声容限。此外，21nC的低栅极总电荷（Q_g）与460pF的输入电容（C_iss）有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升系统在高频下的开关效率。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下最大功耗为25W，其导通电阻、阈值电压等关键参数均在较宽的结温范围（-55°C至175°C）内经过严格测试，保证了环境适应性。TO-220FP封装提供了良好的机械强度和散热路径，便于安装散热器以应对更高功率的应用场景。用户可以通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术资料、样品及供应链支持。

凭借其性能组合，STP14NF12FP非常适用于DC-DC转换器、低压电机驱动、不间断电源（UPS）以及各类开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流等场景。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计中所体现的STripFET II技术优势，如高效率与高可靠性，在后续系列产品中得到了延续和发展，为工程师在既有产品或特定备件方案中提供了一个经过验证的高性价比选择。

• 型号:STP14NF12FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 120V 8.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:120 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP14NF12FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。其核心优势在于结合了120V的漏源电压与8.5A的连续漏极电流处理能力，并依托STripFET II技术实现了低至180mΩ的导通电阻，能有效降低导通损耗，提升系统整体能效。

该器件具备快速开关特性，其最大栅极电荷仅为21nC，输入电容为460pF，有利于在高频开关应用中减少驱动损耗。其设计支持10V标准栅极驱动，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，适用于各类中功率开关电源和电机控制电路。