STP14NK50Z

STP14NK50Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于通过增强的单元密度和栅极结构，有效降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了稳健的雪崩耐量和开关特性，为高压开关应用提供了一个高效可靠的半导体解决方案。

该芯片具备多项突出的电气特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式拓扑中常见的电压应力，为离线式电源提供了充足的电压裕量。在导通性能方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值远低于380毫欧（@6A），这意味着在传导过程中产生的功率损耗显著降低，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在92nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求。

在接口与参数层面，STP14NK50Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热处理。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达14A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的驱动安全范围。器件支持高达150W（Tc）的功率耗散能力，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些参数共同定义了一个坚固且易于使用的功率开关接口。

得益于其高耐压、低导通损耗和良好的开关性能，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及照明镇流器等。对于寻求可靠高压MOSFET解决方案的设计工程师，通过正规的ST代理渠道获取此型号，可以获得完整的技术支持与质量保证，确保设计方案的顺利实施与长期可靠性。

• 型号:STP14NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP14NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至380毫欧（最大值，@6A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能有效降低传导损耗。

此外，该MOSFET具备14A（Tc）的连续漏极电流能力和150W（Tc）的功率耗散能力，采用标准的TO-220AB通孔封装。其92nC（最大值）的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高压、高可靠性功率转换设计的理想选择。