STP14NM50N

STP14NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与高开关速度的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时有效控制了寄生电容，为高效率的能量转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压应用中的可靠性与安全裕度。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值远低于320毫欧，这意味着在传导过程中产生的热量更少，系统整体效率得以提升。较低的栅极电荷（Qg，最大值27nC @ 10V）和输入电容（Ciss）是其另一大亮点，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）和高达90W（Tc）的功率耗散能力，赋予了它强大的环境适应性与鲁棒性。

在接口与参数层面，STP14NM50N采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现更佳的热管理。其栅极驱动电压范围宽至±25V，为驱动电路设计提供了灵活性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达12A，结合其低Rds(on)特性，使其能够高效处理可观的功率流。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高开关性能的组合，这款器件非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及UPS（不间断电源）和电焊机等设备中的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强整体可靠性。

• 型号:STP14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP14NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，配合最大值仅为27nC的栅极电荷（Qg），共同实现了低传导损耗与高开关速度的卓越平衡。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及工业电源系统效率与功率密度的理想选择。