STP150N3LLH6

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP150N3LLH6是一款采用N沟道设计的功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET VI产品系列，并应用了DeepGATE技术。该器件采用标准的TO-220AB通孔封装，为设计工程师提供了一个在中等电压下实现高电流处理能力的可靠解决方案。其核心架构旨在优化功率转换效率，通过精密的芯片设计和制造工艺，在导通电阻与栅极电荷之间取得了出色的平衡，这对于降低开关损耗和提升整体系统能效至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，典型值仅为3.3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使其在承载大电流时温升更小，可靠性更高。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC（@4.5V），较低的栅极电荷意味着驱动电路可以更快速地对器件进行充放电，从而实现更高的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STP150N3LLH6具备30V的漏源击穿电压（Vdss），在壳温（Tc）条件下可支持高达80A的连续漏极电流。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件最大功率耗散为110W（Tc），并拥有宽广的工作结温范围（-55°C至175°C），能够适应严苛的环境要求。对于需要本地技术支持和供应链保障的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与采购服务。

基于其优异的性能组合，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。它常被用于同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）以及电机驱动控制等电路中。在服务器电源、工业电源、电动工具及电池管理系统（BMS）中，利用其低Rds(on)和高电流能力，可以有效提升功率级的效率，减少热量产生，从而有助于实现更紧凑、更可靠的系统设计。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它依然是一个具有参考价值的高性能器件选择。

• 型号:STP150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP150N3LLH6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件隶属于STripFET VI系列，应用DeepGATE技术，核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的优化组合。

其关键参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V Vgs和40A Id条件下，其导通电阻典型值低至3.3毫欧，显著降低了传导损耗。同时，最大仅40nC的栅极电荷（@4.5V）确保了高效的开关性能，适用于高频操作。这些特性使其成为提升功率转换系统效率的理想选择。