STP160N75F3

STP160N75F3是ST意法半导体基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，其核心在于通过精细的单元设计和工艺控制，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的突出特性包括其4毫欧（典型值，在10V Vgs和60A Id条件下）的超低导通电阻，这直接转化为更低的传导损耗，尤其是在大电流应用中。同时，其最大栅极电荷仅为85nC（在10V Vgs条件下），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化系统设计并提升开关频率潜力。器件采用标准的TO-220AB通孔封装，提供了良好的机械强度和散热能力，其结温最高可支持至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STP160N75F3具备75V的漏源击穿电压（Vdss）和高达120A（在壳温Tc条件下）的连续漏极电流能力，使其能够承受较高的功率等级。其栅源驱动电压（Vgs）范围为±20V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了稳定的开启特性。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购，以确保获得正品器件和完整的技术服务。

凭借其高性能指标，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动与控制系统（如电动工具、无人机电调）、大电流开关以及同步整流电路。在这些场景中，其低Rds(on)特性有助于减少热耗散，而优化的开关特性则能提升系统动态响应和整体能效，是工程师设计高效、紧凑型功率解决方案的理想选择。

• 型号:STP160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP160N75F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其卓越的电气性能平衡。

其关键参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续电流能力。尤为突出的是，它在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4毫欧（@60A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为85nC（@10V）。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，能显著降低功率应用中的传导损耗和开关损耗，提升系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在多种环境下的稳定性和可靠性。