STP16NK60Z

STP16NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH技术产品系列。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低导通电阻与高击穿电压之间的出色平衡。其核心设计目标是在600V的高压工作条件下，提供高效、可靠的开关性能，同时将传导损耗降至最低，以满足工业级应用对能效和鲁棒性的严苛要求。

该器件集成了多项旨在提升性能的关键特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压母线环境下的安全裕量，而14A的连续漏极电流（Id）能力则使其能够处理可观的功率等级。得益于SuperMESH技术，它在导通电阻（Rds(on)）方面表现优异，典型值在10V驱动电压（Vgs）下仅为420毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，86nC的栅极电荷（Qg）和2650pF的输入电容（Ciss）参数，共同决定了其具有较快的开关速度，有助于降低开关损耗，提升系统整体频率和效率。其栅极驱动电压范围宽至±30V，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，STP16NK60Z的阈值电压Vgs(th)最大为4.5V，属于标准逻辑电平驱动，便于与常见的控制器接口。其最大结温（Tj）高达150°C，结合TO-220AB通孔封装提供的良好散热路径，使得器件在190W（Tc）的最大功率耗散下仍能稳定工作，展现了强大的热管理潜力。这些参数共同定义了一款适用于硬开关和软开关拓扑的高性能功率开关器件。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器以及电机驱动控制单元。在工业照明、家用电器、不间断电源（UPS）和电焊机等设备的逆变与整流环节中，它都能作为核心开关元件发挥关键作用。对于需要此类高性能分立器件的设计工程师，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术资料、样品支持以及供应链服务，以确保设计的合规性与生产的连续性。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

• 型号:STP16NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP16NK60Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP16NK60Z是ST意法半导体基于SuperMESH技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与14A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装，适用于高功率密度设计。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为420毫欧，配合86nC的较低栅极电荷（Qg），有效降低了传导与开关损耗。器件支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为190W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠性与热性能。这些参数使其成为高压、高效开关应用的理想选择。