STP17NK40Z

STP17NK40Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟道结构，通过优化的单元设计和先进的制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在400V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，同时通过降低单元密度和优化载流子迁移路径来显著减少通态损耗。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，当漏极电流为7.5A时，其导通电阻（Rds(on)）典型值可低至250毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为65nC @ 10V，结合1900pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力和驱动设计裕度。值得注意的是，该器件已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，ST中国代理可提供相关的产品生命周期与替代品信息支持。

在电气参数方面，STP17NK40Z在壳温（Tc）条件下可支持高达15A的连续漏极电流和150W的功率耗散，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以应对大功率应用场景。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 100A，属于标准逻辑电平驱动范畴，与多数控制器兼容。

凭借400V的耐压和优异的开关特性，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器中的逆变桥臂以及高频DC-DC变换器等应用。其设计旨在提升工业电源、家用电器和照明系统等设备的能效与功率密度，是构建高效、紧凑型功率转换解决方案的关键元件之一。

• 型号:STP17NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP17NK40Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心特性包括400V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温条件下15A的连续电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在较低的导通电阻（250毫欧 @ 7.5A, 10V）与优化的栅极电荷（65nC @ 10V），这共同实现了更低的导通损耗和更快的开关速度，有助于提升整体电源系统的效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在多样化环境下的稳定运行。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。