STP18N55M5

STP18N55M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和栅极设计，在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了优异的开关性能与导通损耗的平衡。

该器件具备550V的漏源击穿电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对工业级功率环境中的电压应力和电流负载。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、8A电流条件下典型值仅为192毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在31nC（@10V），结合±25V的宽栅源电压范围，意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，降低开关损耗，并兼容多种栅极驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，高达110W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最大结温（Tj）确保了器件在严苛热环境下的稳定运行。其输入电容（Ciss）在100V条件下为1260pF，与低栅极电荷共同优化了开关动态特性。这些参数共同定义了STP18N55M5在高压、高频开关应用中的优势地位。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理渠道进行采购是确保产品正宗和获得完整服务保障的关键。

得益于其出色的性能组合，STP18N55M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源转换系统。在这些领域中，它能够有效提升能效等级，减小散热器尺寸，并增强系统的长期可靠性。

• 型号:STP18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP18N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id）承载能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值192mΩ @ 10V, 8A）与优化的栅极电荷（Qg最大值31nC @ 10V）相结合。这一特性组合显著降低了功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，器件支持高达110W的功率耗散，最大结温为150°C，确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性和可靠性。