STP18N60M6

STP18N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代超级结（Super-Junction）技术的演进，通过精密的单元结构和电荷平衡原理，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时维持了快速开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达13A，展现出强大的电流处理能力。一个关键的性能指标是其导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下，最大值仅为280毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在16.8nC（@10V），结合650pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与参数方面，STP18N60M6采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散为110W（Tc）。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，具备典型的增强型MOSFET特性，易于驱动和控制。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通损耗和良好的开关性能，STP18N60M6非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器和LED驱动器、工业电机驱动与控制系统中的辅助电源，以及UPS（不间断电源）和逆变器等能源转换设备。它是工程师在设计600V左右电压等级、千瓦级以下功率的中高端电源产品时的优选功率开关器件之一。

• 型号:STP18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP18N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为280毫欧，同时栅极电荷（Qg）较低，这共同保障了高效率与快速的开关性能。这些参数使其成为开关电源、电机驱动和照明系统等应用中，追求低损耗和高可靠性的理想功率开关解决方案。