STP18N65M5

STP18N65M5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，其核心在于通过创新的单元结构和制造工艺，显著降低了单位面积的导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效和功率密度。这种架构使其在高压开关应用中能够实现更快的开关速度和更低的温升，为系统设计提供了更高的可靠性和灵活性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压离线式电源拓扑中的稳定运行，而在25°C壳温下高达15A的连续漏极电流（Id）承载能力则满足了中等功率等级的应用需求。一个关键的性能指标是其导通电阻，在10V驱动电压、7.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为220毫欧，这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V条件下仅为31nC，结合1240pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并进一步提升高频开关效率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±25V，提供了良好的抗干扰能力。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现有效的热管理，其最大功率耗散为110W（Tc）。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，适应严苛的环境要求。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持、样品及供货信息。

基于其高性能规格，STP18N65M5非常适用于需要高效能和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明系统的电子镇流器和LED驱动器、工业电机控制与驱动以及不同断电源（UPS）的功率级。在这些场景中，其低损耗特性有助于提升系统整体效率，满足日益严格的能效标准，而其高耐压和鲁棒性则确保了系统长期运行的稳定性。

• 型号:STP18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP18N65M5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压和15A的连续漏极电流处理能力，为高压、中等功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为220毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（31nC @ 10V）和输入电容确保了快速的开关特性，有助于提升开关频率并减少驱动损耗，从而优化系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和照明系统等应用中高效、可靠的功率开关选择。