STP200NF04

STP200NF04是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在紧凑的芯片面积内极低的功率损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该器件的一个突出特点是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和90A漏极电流条件下，典型Rds(On)值仅为3.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，使得器件在连续工作状态下能够处理高达120A（壳温条件下）的电流。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在210nC（@10V）的水平，这有助于降低开关过程中的动态损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在电气参数方面，STP200NF04的漏源击穿电压（Vdss）为40V，适用于常见的低压大电流场景。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其最大结温（TJ）高达175°C，结合TO-220AB封装良好的热传导特性，使其在壳温条件下最大功率耗散可达310W，展现了出色的热管理和功率处理能力。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

凭借其高电流承载能力、低导通电阻和稳健的封装，该MOSFET非常适合用于要求严苛的功率转换和电机控制领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、大功率同步整流、电动工具的无刷直流（BLDC）电机驱动、以及汽车辅助系统中的高边或低边开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类替代选型中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP200NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP200NF04的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP200NF04是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于低压、大电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力的结合。

在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至3.7毫欧（@90A），这显著降低了功率损耗和温升。器件在壳温条件下可支持高达120A的连续漏极电流，最大功率耗散为310W，结温工作范围从-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。这些参数使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。