STP21N65M5

STP21N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的特定导通电阻（Rds(on) * Area），从而在650V的高压等级下实现了优异的传导效率。

该MOSFET具备多项关键性能优势。其漏源击穿电压（Vdss）高达650V，为开关电源中的功率级提供了充足的安全裕量，能够有效应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达17A，结合最大仅190毫欧的导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间极低的功率损耗，有助于提升系统整体能效并简化散热设计。其栅极驱动特性同样出色，栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，提供了良好的噪声免疫性，而较低的栅极总电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则有助于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作，这对于提升功率密度至关重要。

在电气接口与参数方面，该器件设计为标准10V栅极驱动电压，与多数主流控制器兼容，其栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。其封装采用工业界广泛使用的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散为125W，结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了其坚固的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链安全的重要途径。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP21N65M5非常适用于要求严苛的功率转换应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）电路和DC-DC主开关的理想选择，常见于服务器电源、工业电源和高端适配器中。此外，在电机驱动、照明镇流器以及不间断电源（UPS）的逆变桥臂等需要高效功率开关的领域，该器件也能发挥关键作用，帮助设计工程师在提升系统性能的同时，优化整体成本和尺寸。

• 型号:STP21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP21N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件核心规格为650V漏源电压（Vdss）与17A连续漏极电流（Id），在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为190毫欧，实现了高压环境下出色的传导性能。

其技术亮点在于优化的动态特性，栅极电荷（Qg）最大值仅为50nC，有助于显著降低开关损耗，提升系统效率与工作频率。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散125W，结温最高支持150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性与稳健性。