STP23N80K5

STP23N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达800V，确保了其在高压环境下的可靠工作与安全裕度。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为16A，结合导通电阻（Rds(on)）典型值仅为280毫欧（在8A，10V条件下），意味着在导通状态下能够产生极低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC，这直接转化为快速的开关速度和更低的驱动损耗，使得高频开关应用成为可能。这些特性共同构成了其在功率转换领域的核心竞争力。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220-3通孔封装，便于安装和散热管理。其栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，最大耐受电压为±30V，提供了宽裕且安全的驱动设计窗口。输入电容（Ciss）在100V条件下最大为1000pF，有助于简化栅极驱动电路的设计。其最大结温（Tj）可达150°C，在充分散热条件下，器件可承受高达190W的功率耗散，展现了强大的热性能与鲁棒性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

凭借800V的高压耐受能力和优异的开关性能，STP23N80K5非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及工业照明（如LED驱动）等应用场景。它能够有效应对交流输入整流后的高压直流母线环境，是工程师在设计先进电源和能源转换系统时的理想功率开关选择。

• 型号:STP23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP23N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（Rds(on)典型值280mΩ）与低栅极电荷（Qg最大值33nC）的优化组合。这一特性使其在导通状态下的损耗极低，同时具备快速的开关速度，能显著提升开关电源等功率转换系统的整体效率与功率密度。器件采用TO-220-3通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠性与耐用性。