STP23NM60N

STP23NM60N是ST意法半导体基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，通过优化单元密度和工艺，在保持高阻断电压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心架构旨在满足高电压、高效率应用中对开关损耗和传导损耗的严苛要求。

该MOSFET的突出特性在于其优异的动态性能与稳健性。600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC变换器中的高压母线环境，提供充足的安全裕量。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19A，配合仅180毫欧（典型值，在10V Vgs， 9.5A Id条件下）的低导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC（@10V），较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统在高频工作下的整体效率。

在接口与参数方面，STP23NM60N采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达150W（Tc）的功率耗散能力。其栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，最大耐受电压为±25V，为驱动电路设计提供了灵活性。器件具备宽泛的工作结温范围，最高可达150°C（TJ），确保了在恶劣环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要地位，用户可通过正规的ST一级代理渠道获取库存或替代产品信息。

得益于其高电压、大电流和低损耗的特性组合，STP23NM60N非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换级、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等设备。在这些应用中，它能够有效处理能量转换，提升系统功率密度和能效水平。

• 型号:STP23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP23NM60N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP23NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至180毫欧，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为60nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有助于同时降低传导损耗和开关损耗，从而提升电源系统的整体效率。此外，器件支持高达150°C的结温工作，确保了在苛刻环境下的稳定性和长寿命。