STP24N65M2

STP24N65M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部寄生电容，从而在开关速度与电磁干扰（EMI）性能之间取得了良好的折衷。这种架构使得器件在高压开关应用中能够高效工作，减少导通和开关过程中的能量损耗。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达650V，确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达16A，展现出较强的电流处理能力。其关键优势在于较低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为230毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在29nC（@10V），结合1060pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量相对较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率潜力。

在接口与参数方面，STP24N65M2采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的安全工作范围。阈值电压Vgs(th)最大值为4V（@250A），属于标准电平，兼容多数控制器驱动。器件最大功率耗散为150W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。用户可通过正规的ST代理渠道获取该产品的详细技术资料与供货支持。

得益于其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STP24N65M2非常适用于需要高效能功率转换的场合。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明领域的电子镇流器和LED驱动电源、以及不同断电源（UPS）和电机驱动中的功率级设计。尽管其零件状态已标注为停产，意味着ST可能已推出性能更优的后续替代型号，但其设计参数和性能表现仍为理解高压MOSFET在类似应用中的选型提供了有价值的参考基准。

• 型号:STP24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP24N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括650V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下达16A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于通过MDmesh M2技术实现了优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为230毫欧（@8A），有效降低了导通损耗。同时，29nC（@10V）的栅极电荷（Qg）和适中的输入电容有助于实现快速的开关切换并减少驱动需求。这些特性使其成为适用于高效开关电源、功率因数校正（PFC）及照明驱动等高压、中功率应用场景的可靠选择。