STP25N60M2-EP

作为ST意法半导体MDmesh M2-EP系列的一员，STP25N60M2-EP是一款采用先进平面工艺的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，结合了低栅极电荷与低导通电阻的特性，旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件采用TO-220封装，提供了坚固的机械结构和良好的散热路径，适用于要求严苛的工业环境。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对高压大电流的应用场合。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、9A电流条件下典型值仅为188毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为29nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，从而实现更高频率的开关操作。

在电气参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了更宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，确保了良好的噪声抑制能力和可靠的导通/关断控制。功率耗散能力高达150W（基于壳温），结合TO-220封装，为热管理设计提供了坚实基础。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应从寒冷到酷热的极端环境，满足工业级和汽车级应用的可靠性需求。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP25N60M2-EP非常适合于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能效等级，减小系统体积，并增强在恶劣条件下的长期运行稳定性。

• 型号:STP25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP25N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心优势在于其600V的漏源电压和18A的连续漏极电流处理能力，为高压功率转换应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括低至188毫欧的导通电阻（Rds(on) @ 10V, 9A）以及仅29nC的栅极总电荷（Qg），这共同实现了优异的低导通损耗与低开关损耗性能，有助于提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在工业级应用环境下的高可靠性与鲁棒性。