STP25N80K5

作为ST意法半导体SuperMESH5产品系列中的一员，STP25N80K5是一款采用先进沟槽栅技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和制造工艺，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用TO-220通孔封装，为工程师提供了一个在高压、大电流应用中兼具高可靠性与散热效率的经典解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其800V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19.5A，配合仅260毫欧（在19.5A，10V条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下极低的功率损耗，从而提升了整体系统效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，STP25N80K5展现了全面的稳健性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，增强了抗栅极噪声干扰的能力。输入电容（Ciss）典型值较低，有利于实现更快的开关速度。器件最大功率耗散能力为250W（Tc），结合TO-220封装良好的热性能，能够有效管理开关过程中的热量。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，适用于各种苛刻的环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高压、低阻和高可靠性的特点，该器件非常适合于开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、UPS不间断电源以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升功率密度和能效，同时确保系统长期运行的稳定性，是工程师设计高效能高压功率转换系统的优选功率开关器件。

• 型号:STP25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP25N80K5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）和19.5A的连续漏极电流（Id）能力，专为要求高耐压和高电流处理能力的应用而设计。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为260毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容参数有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中高效、可靠的功率开关解决方案。