STP25NM50N

STP25NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于多外延层和独特的单元布局，有效降低了单位面积的特定导通电阻（Rds(on)），同时通过精心设计的电场分布，确保了在高达500V的漏源电压（Vdss）下具备可靠的雪崩击穿耐受能力。这种架构使其在开关过程中能够有效控制寄生电容，为高效率的功率转换奠定了基础。

该MOSFET的功能特性围绕其优异的开关性能与功率处理能力展开。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达22A，而导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、11A漏极电流下典型值仅为140毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。其栅极电荷（Qg）最大值仅为84nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率潜力，从而减小磁性元件的体积。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与关键参数方面，STP25NM50N采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达160W（Tc）的功率耗散。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声免疫性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与库存信息。这些参数共同定义了一款适用于中高功率场景的稳健开关器件。

得益于其500V的耐压和良好的开关特性，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级、DC-DC转换器以及电机驱动控制等场景。例如，在服务器电源、工业电源和变频家电的逆变电路中，它能够高效地处理数百瓦的功率等级。其设计平衡了性能与成本，是工程师在构建高效、可靠功率系统时的一个经典选择，尤其适用于对导通损耗和开关损耗有综合考量的设计。

• 型号:STP25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP25NM50N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP25NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和22A连续漏极电流（Id），展现出强大的功率处理能力。

其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为140毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大84nC）有助于减少开关损耗并简化驱动设计，提升系统整体效率。器件支持高达160W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性。