STP265N6F6AG

STP265N6F6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向严苛应用环境的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F6技术平台构建，这一架构通过优化单元密度和沟槽设计，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心设计目标是在紧凑的封装内提供极高的电流处理能力和优异的能效，同时满足汽车级AEC-Q101标准的可靠性要求，确保了在振动、温度循环及高湿度等恶劣条件下的稳定运行。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通损耗与开关损耗控制能力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，在60A电流条件下最大值仅为2.85毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）得到精心优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。器件具备高达180A的连续漏极电流（T_C=25°C）和60V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了宽裕的安全工作裕量。其结温（T_J）工作范围覆盖-55°C至175°C，结合TO-220封装良好的热性能，使其能够承受高达300W的功率耗散，适合高功率密度应用。

在电气参数方面，STP265N6F6AG的阈值电压（V_GS(th)）设计合理，确保了抗干扰能力和可靠的导通关断控制。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了较强的栅极过压耐受性。输入电容（C_iss）等动态参数与其低栅极电荷特性相结合，共同决定了其快速的开关瞬态响应。这些参数使其能够兼容多种主流驱动IC，方便系统集成。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流、低损耗和汽车级可靠性，这款MOSFET非常适用于对效率和鲁棒性有极高要求的领域。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如电动助力转向、燃油泵、风扇控制）、DC-DC转换器（尤其是大电流同步整流和开关拓扑）以及工业电源和逆变器。在电动工具、不间断电源（UPS）和电池保护电路等需要高效功率开关的场合，它同样是一个理想的选择，能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STP265N6F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.85 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP265N6F6AG是ST意法半导体基于STripFET F6技术开发的N沟道功率MOSFET，符合AEC-Q101汽车级标准。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，在10V栅极驱动下，R_DS(on)最大值仅为2.85mΩ @ 60A，显著降低了传导损耗。

其电气规格突出，具备60V的漏源电压（V_dss）和高达180A（T_c=25°C）的连续漏极电流，最大功率耗散为300W。优化的栅极电荷（Q_g）和宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），确保了高效、可靠的开关性能，适用于高要求的功率开关场景。