STP26N65DM2

STP26N65DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于第二代DM2超结（Super-Junction）架构，通过精密的电荷平衡技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时维持了高达650V的漏源击穿电压（Vdss），为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

在功能特性上，这款MOSFET展现了出色的性能组合。其导通电阻在10A电流和10V栅极驱动电压下典型值仅为190毫欧，这意味着在导通状态下由器件本身产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效。同时，栅极电荷（Qg）被控制在35.5nC（@10V）的较低水平，结合适中的输入电容（Ciss），使得开关过程中的驱动损耗显著降低，并允许使用更简洁、成本更优的驱动电路来实现快速开关，这对于高频开关电源应用至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了良好的抗干扰鲁棒性。

从接口与参数来看，该器件采用工业标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。在壳温（Tc）25°C条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为20A，最大功耗可达170W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些参数共同定义了一个兼具高电压处理能力、低导通与开关损耗、以及强健热性能的功率开关解决方案。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购，以获得正品保障和技术支持。

基于其650V的耐压等级和优异的动态性能，STP26N65DM2非常适合于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）设计，例如服务器电源、通信电源和工业电源的功率因数校正（PFC）电路及主开关拓扑中。此外，它在电机驱动、照明镇流器、UPS不同断电源以及电焊机等需要高压开关和高效能转换的工业与消费类电力电子领域，同样是一个可靠且高性能的选择。

• 型号:STP26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP26N65DM2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP26N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于实现了650V高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）的出色结合，在10A、10V条件下导通电阻典型值仅为190毫欧，有效降低了导通损耗。

同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35.5nC，有助于降低开关损耗并简化驱动设计，提升系统在高频工作下的效率。器件采用TO-220封装，在壳温25°C时连续漏极电流（Id）达20A，最大功耗170W，工作温度范围宽（-55°C ~ 150°C TJ），为高可靠性电源和功率转换应用提供了坚实的硬件基础。