STP270N04

STP270N04是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造流程，在硅片层面实现了低比导通电阻与高单元密度的平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗，同时保持良好的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力和极低的导通阻抗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达120A，而导通电阻在10V栅极驱动、80A漏极电流时典型值仅为2.9毫欧。这种低Rds(on)特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗，显著提升了系统的整体能效。此外，其栅极电荷(Qg)典型值为150nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STP270N04的漏源击穿电压(Vdss)为40V，适用于常见的12V、24V及48V总线系统。其阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，在配合适当散热器的情况下，最大功率耗散可达330W。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方ST授权代理进行采购咨询。

凭借其高电流、低阻抗的特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和开关管、大电流电机驱动控制器、不间断电源(UPS)的功率级，以及各类工业电源和电池保护电路。它是构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件之一。

• 型号:STP270N04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP270N04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，具备40V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为2.9毫欧，这能有效降低传导损耗，提升系统效率。同时，150nC的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够胜任高效率开关和严苛环境下的应用需求。