STP270N8F7

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP270N8F7是一款采用先进STripFET VII技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，其核心在于通过改进的单元结构和沟槽工艺，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）。这种架构不仅提升了电流处理能力，还显著降低了传导损耗，使得器件在高压大电流应用中能够维持高效率运行。其DeepGATE技术进一步增强了栅极控制能力，有助于改善开关特性并提升可靠性。

在功能表现上，该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达180A的连续漏极电流（I_D）处理能力，这使其能够胜任严苛的功率开关任务。其最突出的电气特性之一是在10V栅极驱动电压（V_GS）下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至2.5毫欧（@90A），这一极低的导通阻抗直接转化为更低的功率耗散和更高的系统能效。同时，其栅极电荷（Q_G）控制在193nC（@10V），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，平衡了开关性能与驱动简易性。

该器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理，其最大结温（T_J）可达175°C，确保了在宽温度范围内的稳定工作。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。这些接口与参数特性共同定义了其在功率电子系统中的核心价值。

基于其高电流能力、低导通电阻和稳健的封装，STP270N8F7非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、电机驱动与控制的H桥或三相逆变器拓扑、大电流DC-DC转换器，以及不间断电源（UPS）和电焊设备中的功率开关模块。在这些领域中，它能够有效降低系统热损耗，提升整体可靠性和功率输出能力。

• 型号:STP270N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 80V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP270N8F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP270N8F7是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心电气参数包括80V的漏源电压（V_DSS）和高达180A的连续漏极电流（I_D）能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和90A条件下，R_DS(on)最大值仅为2.5毫欧，这能显著降低传导损耗并提升系统效率。同时，193nC的栅极电荷（Q_G）有助于实现高效的开关性能。器件采用TO-220封装，结温范围覆盖-55°C至175°C，为各类严苛的功率开关和转换应用提供了可靠的解决方案。