STP28N60DM2

STP28N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，其核心在于实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。通过创新的单元设计和制造工艺，该MOSFET在维持600V高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通损耗，这使其在硬开关和软开关拓扑中都能展现优异的能效表现。

该器件具备多项关键电气特性以支持高效可靠的功率转换。其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压、10.5A电流条件下典型值仅为160毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统整体尺寸得以减小。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的安全驱动裕度。

在接口与参数方面，STP28N60DM2采用工业标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时额定值为21A，最大功率耗散能力达170W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正品与供货稳定的重要途径。

得益于其高耐压、低损耗和高电流处理能力的组合，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并增强整体可靠性。

• 型号:STP28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP28N60DM2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP28N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至160毫欧（@10V， 10.5A）的导通电阻（RDS(on)）的出色结合，旨在显著降低功率开关应用中的导通损耗。

其21A（Tc）的连续漏极电流额定值和170W（Tc）的功率耗散能力，确保了强大的电流处理与散热性能。此外，优化的栅极电荷（Qg最大34nC）和输入电容特性有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗，使其成为高效率开关电源、电机驱动和工业电源系统中功率开关级的理想选择。