STP2N80K5

STP2N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220通孔封装。该器件基于先进的平面工艺技术构建，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能与可靠性平衡。通过采用SuperMESH5架构，该芯片在单元密度与导通电阻之间实现了显著优化，其栅极结构经过特别设计，以降低栅极电荷和米勒电容，从而提升开关速度并减少开关损耗，这对于高频开关电源拓扑至关重要。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式反激、正激等AC-DC电源转换器中应对高电压应力提供了坚实的保障。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为2A。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1A漏极电流条件下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为3nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需提供的能量更少，简化了栅极驱动设计并降低了驱动损耗。

在电气参数方面，STP2N80K5的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值设定为5V，确保了良好的噪声免疫能力。其栅源电压最大额定值为±30V，为驱动电平提供了充足的安全裕量。器件在壳温下的最大功率耗散为45W，结合TO-220封装良好的热性能，能够有效管理开关过程中的热生成。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术资料、样品及供应链支持。

凭借其高压能力、优化的开关特性以及稳健的封装，STP2N80K5非常适用于需要高性价比高压开关解决方案的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动辅助电源等。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现高功率密度、高可靠性的电源系统设计。

• 型号:STP2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP2N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压额定值与优化的动态开关性能的结合，专为高压开关应用而设计。

其关键电气参数包括2A的连续漏极电流（Tc）、较低的导通电阻以及仅3nC的极低栅极电荷（Qg @ 10V）。低Qg特性显著降低了开关损耗和驱动需求，有助于提升系统效率并简化驱动电路设计。同时，其宽工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。

这些特性使其成为离线式电源、照明电子和工业电源等应用中，要求高效率与高可靠性的初级侧功率开关的理想选择。