STP2NK60Z

作为ST意法半导体SuperMESH系列中的一员，STP2NK60Z是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件。其核心架构基于先进的SuperMESH工艺，该工艺通过优化单元结构和制造流程，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。这种设计使得器件能够在高压环境下稳定工作，同时有效控制功率损耗，为高效能电源转换提供了坚实的物理基础。

该器件在功能上表现出显著的技术优势。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对市电整流后的高压环境，为离线式开关电源（SMPS）等应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、700mA漏极电流下典型值为8欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为10nC，结合170pF的典型输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的动态损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，最大可承受±30V的栅源电压，提供了良好的设计灵活性和鲁棒性。

在接口与关键参数方面，STP2NK60Z采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现更佳的热管理，其外壳温度（Tc）下最大功率耗散为45W。器件在25°C壳温下的连续漏极电流（Id）额定值为1.4A，确保了在稳态工作条件下的电流承载能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，适应严苛的环境要求。需要注意的是，该器件已处于停产状态，在进行新设计选型时需考虑替代方案或库存供应，专业的ST芯片代理能够提供相关的产品生命周期信息与替代建议。

基于其高压、低栅极电荷和TO-220封装的特点，STP2NK60Z非常适用于中小功率的离线式电源转换场景。典型应用包括辅助电源、家用电器中的开关电源（SMPS）、LED照明驱动以及工业控制系统的低功率电源模块。在这些应用中，它常被用作主开关管或钳位开关，其性能有助于实现电源设计的高效率、高可靠性与紧凑化目标。

• 型号:STP2NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP2NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和1.4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过SuperMESH工艺实现了优异的性能平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为8欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大10nC）和输入电容确保了快速的开关特性，能有效提升高频开关电源的效率。这些特性使其成为中小功率离线式开关电源、LED驱动和辅助电源等应用的理想选择。