STP2NK90Z

STP2NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在有效管理高电压应用中的电场分布，从而确保在高达900V的漏源电压下仍能保持稳定的工作特性，这使其成为高压开关电源和功率转换拓扑中的可靠选择。

得益于SuperMESH技术，这款MOSFET展现出卓越的性能特点。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和1.05A漏极电流条件下，典型值仅为6.5欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为27nC，较低的开关电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度，增强了系统的鲁棒性。

在电气参数方面，STP2NK90Z在壳温（Tc）条件下可承受2.1A的连续漏极电流，最大功耗达70W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）最大值为485pF，与低栅极电荷相结合，优化了开关动态性能。器件采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以应对高功率耗散，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。对于需要正品保障和稳定供货的设计项目，建议通过官方ST授权代理进行采购。

该器件主要面向需要高耐压和高效开关的中等功率应用场景。它是离线式开关电源（SMPS）初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动逆变器中H桥架构的理想选择。其高可靠性设计也使其适用于工业控制、可再生能源转换（如光伏逆变器辅助电源）以及家用电器中的功率管理模块，为工程师提供了一个在高压环境下兼顾性能与成本的解决方案。

• 型号:STP2NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP2NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其高达900V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的动态参数，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术规格突出了高效率与快速开关能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至6.5Ω @ 1.05A，有助于减少导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg(max)=27nC）和输入电容（Ciss(max)=485pF）确保了快速的开关瞬态，降低了开关损耗。器件支持2.1A的连续漏极电流和70W的功率耗散能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业级环境。