STP30N20

STP30N20是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟道结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻与高开关速度的良好平衡。其核心架构旨在有效管理功率转换过程中的导通损耗和开关损耗，为中等功率应用提供了一个可靠且高效的半导体开关解决方案。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其200V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压侧应用中的稳定性和安全性，而在25°C壳温下高达30A的连续漏极电流（Id）能力则使其能够承载可观的负载电流。尤为突出的是其导通性能，在10V栅极驱动电压、15A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为75毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在较低水平，有助于提升系统整体效率。此外，38nC的栅极总电荷（Qg）和约1597pF的输入电容（Ciss）参数，共同决定了其具有较快的开关速度，有利于在高频开关电源中降低开关损耗。

在接口与封装方面，STP30N20采用经典的TO-220AB通孔封装，这种封装形式机械强度高，便于安装散热器，其125W（Tc）的最大功率耗散能力也依赖于有效的热管理。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。该器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境要求。用户可以通过授权的ST代理商获取该产品的技术资料与库存信息。

凭借其200V/30A的耐压与载流能力以及优异的开关特性，STP30N20非常适用于需要高效功率处理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、不间断电源（UPS）的功率转换模块，以及各类DC-DC转换器和逆变器设计。它为工程师在这些领域实现紧凑、高效的功率解决方案提供了坚实的硬件基础。

• 型号:STP30N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP30N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心电气规格为200V漏源电压和30A连续漏极电流，为中等功率开关应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术优势主要体现在低导通损耗与良好的开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻低至75毫欧（@15A），能显著降低导通状态下的功率耗散。同时，38nC的栅极电荷与合理的输入电容相结合，确保了器件具备较快的开关速度，有助于提升高频电源系统的整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换系统的理想选择。