STP31N65M5

STP31N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于创新的单元结构和制造工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时优化了内部电容参数，为高效率的功率开关应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达650V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温下，其连续漏极电流（I_D）额定值达22A，配合典型值仅为148毫欧（在11A，10V条件下）的低导通电阻，意味着在导通期间能够有效降低传导损耗，提升系统整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅极电荷（Q_g）控制在45nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在动态与静态参数方面，STP31N65M5表现出良好的均衡性。其输入电容（C_iss）与栅极电荷的优化组合，确保了快速的开关瞬态响应。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕量。封装采用经典的TO-220通孔形式，最大功耗能力为150W，结合高达150°C的结温（T_J）工作范围，赋予了其强大的热管理和功率处理能力，适合在要求苛刻的环境下稳定运行。对于需要可靠货源和全面技术支持的用户，可以咨询官方授权的ST一级代理以获取详细信息。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STP31N65M5非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及高效照明镇流器等应用领域。它是工程师在设计和升级中高功率密度、高效率电力电子系统时，一个值得信赖的功率开关解决方案。

• 型号:STP31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP31N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压额定值与22A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至148毫欧，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（最大45nC）有助于提升开关速度并减少驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率与高可靠性的电源转换和电机控制应用的理想选择。