STP33N60M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP33N60M2是一款采用先进MDmesh II Plus技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速开关能力和高可靠性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

在功能特性上，该MOSFET的600V漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合的电压应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、13A电流条件下典型值仅为125毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数，配合±25V的宽泛栅源电压范围，使得器件易于驱动，并能有效降低开关损耗，提升整体开关频率，这对于设计紧凑型、高效率的开关电源至关重要。

该器件采用标准的TO-220通孔封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于安装和热管理。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时高达26A，最大功耗为190W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了强大的电流处理能力和宽温工作稳定性。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过官方授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。这些电气与物理参数的结合，使其在要求苛刻的应用中表现出色。

基于其高性能指标，STP33N60M2非常适用于对效率和可靠性有高要求的功率电子领域。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器和太阳能逆变器等。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少热量产生，并确保在高压、大电流工况下的长期稳定运行。

• 型号:STP33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP33N60M2是ST意法半导体MDmesh II Plus系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于高达600V的漏源电压（Vdss）与低至125毫欧（@10V，13A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这显著降低了功率损耗，提升了系统效率。

该器件在25°C壳温下可承受26A的连续漏极电流，最大功耗达190W，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在恶劣环境下的可靠运行。优化的栅极电荷（45.5nC @10V）和输入电容特性，使其具备快速的开关性能，非常适合用于高频开关电源、电机驱动及各类工业功率转换应用。