STP35N65M5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP35N65M5是一款采用先进MDmesh V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于多外延层与特殊单元布局，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时通过优化的栅极设计改善了开关特性，使得器件在高压开关应用中能够兼顾效率与可靠性。

该MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），为应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达27A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、13.5A电流条件下典型值仅为98毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在83nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在电气参数方面，STP35N65M5的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。其栅源电压（Vgs）可承受±25V，为驱动电路提供了较高的设计灵活性。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，最大功率耗散能力为160W（Tc），结温（Tj）最高可工作至150°C，具备坚固的物理特性和良好的散热性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的开关性能，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源系统中的功率开关单元。其设计旨在提升这些系统的功率密度和能源效率，是工程师构建高效、紧凑型高压功率解决方案的关键元件之一。

• 型号:STP35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP35N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件提供了650V的漏源电压（Vdss）额定值和27A（Tc）的连续漏极电流能力，专为高压、高电流开关应用而优化。

其核心优势在于出色的导通性能，在10V Vgs、13.5A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至98毫欧，能显著降低导通损耗。同时，83nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。器件采用TO-220AB封装，最大功率耗散为160W（Tc），工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与散热效能。