STP36NF06

STP36NF06是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，专为高效率的功率开关应用而设计。其内部架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过先进的沟槽工艺实现了优异的低导通电阻（Rds(on)）特性，在10V栅极驱动电压、15A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为40毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。

在电气性能方面，该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和30A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了宽裕的安全裕量。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力和与标准逻辑电平驱动的兼容性。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值31nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值690pF @ 25V）是其显著特点，这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源或电机驱动电路。

该器件的接口设计遵循行业标准的TO-220AB引脚定义，便于安装和散热处理。其坚固的硅芯片设计支持高达±20V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。在热管理方面，其最大结温（Tj）可达175°C，在安装合适散热器的情况下，能够耗散高达70W（Tc）的功率。用户在选择时，可通过正规的ST一级代理获取原厂技术支持与供货保障。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

得益于其平衡的电压/电流规格、低导通电阻与快速开关特性，STP36NF06非常适合应用于DC-DC转换器、电机控制驱动器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源的功率开关环节。在这些场景中，它能够有效承担主功率通路的开关任务，是实现高效、紧凑型功率解决方案的关键元器件之一。

• 型号:STP36NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP36NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件基于STripFET II技术，核心优势在于其优异的低导通电阻与快速开关性能的组合，其Rds(on)低至40毫欧（@15A, 10V），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，这有助于显著降低导通与开关损耗。

其电气规格包括60V的漏源电压（Vdss）和30A的连续漏极电流（Id），适用于中等功率等级的开关应用。该MOSFET设计用于驱动电压为10V的工况，并具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温），确保了在苛刻环境下的可靠运行。