STP3NK60ZFP

STP3NK60ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220FP通孔封装。该器件隶属于ST专有的SuperMESH技术产品系列，这一架构通过优化的单元设计和工艺技术，旨在显著降低导通电阻与栅极电荷的乘积（RDS(on) * Qg），从而在高压应用中实现更低的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

其核心性能体现在600V的漏源击穿电压（Vdss）与2.4A的连续漏极电流（Id）能力上，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压环境提供了可靠的开关基础。器件在10V驱动电压下，导通电阻（RDS(on)）典型值较低，这直接关系到导通状态下的功率耗散，有助于减少热量生成。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11.8nC，较低的栅极驱动需求简化了驱动电路设计，并能支持更高的开关频率，有助于减小系统中磁性元件的体积。其栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较好的抗栅极噪声干扰能力。

在电气参数方面，该MOSFET在25°C管壳温度下的最大功率耗散为20W，结合TO-220FP封装良好的散热特性，使其能够应对一定的持续功率处理需求。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与技术咨询。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于改善开关过程中的电压电流应力。

基于其高压、低损耗的特性，STP3NK60ZFP非常适合应用于中小功率的AC-DC开关电源适配器、LED驱动电源、家用电器辅助电源以及工业控制系统的电源模块中。在这些场景中，它常被用作主开关管或辅助开关管，其性能平衡了成本与效率，是构建经济高效高压开关解决方案的经典选择之一。

• 型号:STP3NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP3NK60ZFP是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与2.4A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备良好的功率处理与散热能力。

其技术亮点在于实现了导通电阻与栅极电荷的良好折衷，在10V驱动电压下具有较低的导通损耗，同时11.8nC的最大栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作。这些特性使其成为面向离线式电源、LED照明驱动等高压开关应用的可靠解决方案。