STP3NK80Z

STP3NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220AB通孔封装。该器件基于先进的SuperMESH技术平台构建，该平台通过优化的单元结构和工艺，在保持高阻断电压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而实现了优异的开关性能与导通损耗的平衡。

该MOSFET的核心特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等应用中常见的电压应力和开关尖峰，提升了系统的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，结合仅19nC（@10V）的栅极总电荷（Qg），意味着器件在导通状态下的损耗较小，同时所需的栅极驱动能量也较低，有助于简化驱动电路设计并提升整体效率。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数上，STP3NK80Z在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，最大功耗为70W，确保了在合理散热条件下的功率处理能力。其输入电容（Ciss）典型值有助于评估开关速度与驱动需求。器件拥有宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借高耐压、良好的开关特性以及TO-220封装带来的便利散热能力，该器件非常适用于需要高效、可靠功率开关的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器、工业电机控制的辅助电源以及LED照明驱动。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，并凭借其稳健性保障系统长期稳定运行。

• 型号:STP3NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达800V的漏源击穿电压，为高压应用提供了充足的电压裕量，同时保持了良好的导通与开关性能平衡。

该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，并且栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，这有助于降低开关损耗和驱动需求，提升系统整体效率。其额定连续漏极电流为2.5A（Tc），最大功耗70W，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够胜任要求严苛的工业与消费类电源应用。