STP43N60DM2

STP43N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心在于第二代DM2超结（Super-Junction）架构，通过精密的电荷平衡技术，显著降低了导通损耗和栅极电荷，从而提升了整体能效和功率密度，使其在高压开关应用中表现出卓越的可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，能够从容应对工业级AC-DC变换及电机驱动中的高压母线环境。在25°C壳温（T_C）下，连续漏极电流（I_D）可达34A，支持较高的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在10V栅源驱动电压（V_GS）和17A漏极电流下，R_DS(on)(max)仅为93mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，栅极总电荷（Q_g）典型值较低，在10V V_GS下为56nC，结合±25V的宽栅源电压范围，意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与热管理方面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热传导。其最大功率耗散能力在壳温条件下为250W，结合-55°C至150°C的宽结温（T_J）工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有助于抑制高频振荡，提升系统电磁兼容性（EMC）表现。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高性能指标，STP43N60DM2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率电子设备。它在提升系统能效、减小散热器尺寸和增强功率密度方面提供了优秀的解决方案。

• 型号:STP43N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP43N60DM2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP43N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于600V的漏源击穿电压（V_DSS）和34A（T_C=25°C）的连续电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的开关性能与低损耗上。导通电阻（R_DS(on)）在10V V_GS下最大仅为93mΩ，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g典型值56nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统频率并减少开关损耗。TO-220封装和250W（T_C）的功率耗散能力保障了良好的热性能，使其成为工业电源、电机驱动等高效能转换设计的理想选择。