STP45N40DM2AG

STP45N40DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，其核心在于实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡。这种架构通过创新的单元设计和工艺优化，显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备400V的漏源击穿电压（Vdss）和38A的连续漏极电流（Id）承载能力，展现了强大的功率处理潜能。其导通电阻在10V栅极驱动电压、19A漏极电流条件下典型值仅为72毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在56nC，结合2600pF的输入电容（Ciss），意味着器件能够实现快速、平滑的开关切换，有效减少开关过程中的电压电流重叠损耗，提升系统整体能效。

在电气参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，增强了驱动电路的可靠性。其阈值电压（Vgs(th)）典型值为5V，具备良好的噪声抑制能力。封装采用工业标准的TO-220通孔形式，便于安装散热器，其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，结合250W的最大功耗能力，使其能够适应严苛的热环境与高功率应用需求。对于需要稳定可靠供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取此型号产品及相关技术支持。

得益于其高耐压、大电流、低损耗以及符合汽车级AEC-Q101标准的可靠性，STP45N40DM2AG非常适用于要求高效率和高鲁棒性的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、电机驱动与控制的逆变器模块、工业照明中的HID镇流器，以及汽车电子中的各类功率转换与驱动单元。其设计充分考虑了电磁兼容性和热管理，是工程师构建下一代高效能、高密度功率系统的优选功率开关器件。

• 型号:STP45N40DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 38A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP45N40DM2AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP45N40DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心参数包括400V的漏源电压（Vdss）和38A的连续漏极电流（Id），提供了出色的功率处理能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）低至72毫欧（@19A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为56nC，有利于实现高速开关并减少开关损耗。这些特性使其成为追求高效率与高可靠性的功率转换应用的理想选择。