STP4N52K3

STP4N52K3是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH3产品系列。该器件采用成熟的平面工艺技术，通过优化的单元结构和沟槽设计，在单颗芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其525V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和开关尖峰，确保了系统的可靠性与鲁棒性。得益于SuperMESH3技术的加持，它在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.6欧姆（在1.25A条件下），这直接转化为更低的通态损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）典型值低至11nC，结合334pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STP4N52K3采用标准的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高效的功率耗散，其最大结温（Tj）高达150°C，展现了出色的热性能。它在壳温（Tc）条件下可支持2.5A的连续漏极电流，最大栅源电压（Vgs）范围为±30V，提供了足够的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声免疫能力。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术文档、样品以及全面的设计支持。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性有严格要求的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器、低功率电机驱动和逆变器，以及各种AC-DC适配器和工业电源。它为设计工程师在构建紧凑、高效且成本优化的功率解决方案时，提供了一个性能卓越的半导体开关选择。

• 型号:STP4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4N52K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于高达525V的漏源击穿电压（Vdss），为高压应用提供了坚实的可靠性保障。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.6欧姆 @ 1.25A，配合低至11nC的栅极电荷（Qg），有效降低了传导损耗与开关损耗，提升了系统效率。其设计支持2.5A的连续漏极电流（Tc）和150°C的最高结温，适用于要求严苛的功率开关场景。