STP4NB100

STP4NB100是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和工艺制程，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高击穿电压（BV_DSS）之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在1000V的漏源电压下仍能保持稳定的阻断能力，同时将导通损耗控制在较低水平。

该器件在功能上展现出针对高压开关应用优化的特性。其1000V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路以及电机驱动中常见的母线电压波动。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其最大导通电阻仅为4.4Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，配合±30V的宽栅源电压范围，为驱动电路的设计提供了灵活性和便利性，有助于简化栅极驱动并减少开关损耗。

在接口与参数层面，STP4NB100采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其外壳（管壳）温度（T_C）下的最大连续漏极电流为3.8A，最大功耗可达125W。其结温（T_J）最高可承受150°C，确保了在恶劣环境下的可靠工作。关键的动态参数，如输入电容（C_iss）和栅极阈值电压（V_GS(th)），均经过精心设计，以平衡开关速度、抗干扰能力和驱动需求。对于需要获取该器件详细技术资料或库存信息的用户，可以咨询专业的ST中国代理。

得益于其高压、低导通电阻和稳健的封装特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、照明镇流器以及工业电机控制等场景。在这些应用中，它常被用作主开关管或续流二极管，在硬开关或软开关拓扑中执行高效的功率转换任务。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中，它仍是一个经过市场验证的可靠选择。

• 型号:STP4NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4NB100是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心规格突出，具备1000V的高漏源击穿电压（V_DSS）与3.8A的连续漏极电流（I_D）能力，专为应对高压环境设计。

其技术参数针对高效开关进行了优化，在10V栅极驱动下最大导通电阻（R_DS(on)）仅为4.4Ω，有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）特性有利于实现快速的开关切换，减少动态损耗。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功耗125W，最高结温150°C，确保了在功率应用中的散热可靠性与长期稳定性。