STP4NB80

STP4NB80是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（Rds(on)）与高阻断电压的良好平衡。其核心设计旨在降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A。其导通特性表现突出，当栅源电压（Vgs）为10V、漏极电流为2A时，导通电阻最大值仅为3.3欧姆，这直接有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在29nC（@10V），结合920pF的典型输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有利于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为100W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。工作结温（Tj）最高可达150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过官方渠道或ST授权代理查询替代型号及库存信息。

凭借800V的耐压和4A的电流能力，STP4NB80非常适用于需要高压开关和中等电流处理的场合。其典型应用领域包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动控制中的辅助电源部分。在这些应用中，其高耐压和良好的开关特性有助于构建高效、紧凑且可靠的功率转换解决方案。

• 型号:STP4NB80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4NB80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和4A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.3欧姆（@2A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大29nC）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关，提升系统频率与效率。器件最高工作结温为150°C，确保了高温环境下的稳定运行。