STP50NF25

STP50NF25是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构设计，在单位面积内实现了更低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关性能与导通损耗之间取得了出色的平衡。其核心架构旨在提供高功率密度下的可靠性与效率，适用于要求严苛的功率转换与控制应用。

该器件在250V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达45A的连续漏极电流（Tc=25°C），展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、22A电流条件下，Rds(On)典型值仅为69毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在68.2nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着它具备快速的开关特性，有助于降低开关损耗并提升工作频率，这对于开关电源等应用至关重要。

在接口与参数方面，STP50NF25采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力和易驱动性。器件的最大功率耗散为160W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在恶劣环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以通过正规的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于中高功率的开关模式电源（SMPS）、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及各类工业级DC-DC转换器中。无论是作为主开关管还是同步整流管，它都能有效提升功率级的整体能效和功率密度，是工程师在设计高效、紧凑型功率电子系统时的可靠选择。

• 型号:STP50NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 22A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP50NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于250V的漏源电压（Vdss）和45A的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流余量。

该器件基于STripFET技术，实现了优异的导通与开关性能平衡。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动下典型值低至69毫欧，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容参数确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关电源等系统的效率和频率性能。