STP5N105K5

STP5N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升高频开关应用的效率至关重要。MDmesh K5技术专为满足高电压、高可靠性应用的需求而设计，确保了器件在严苛工况下的稳定表现。

该MOSFET具备1050V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌，提供了充裕的设计余量。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3A。其导通电阻在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为3.5欧姆，较低的RDS(on)直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12.5nC（@10V），结合210pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更小，这不仅简化了栅极驱动设计，还能有效降低开关损耗，提升开关频率。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压（Vgs）范围宽达±30V，而确保完全导通的阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为5V（@100A），兼容常见的驱动IC电平。器件最大允许结温（TJ）高达150°C，在壳温条件下最大功率耗散为85W，展现了良好的热性能。对于需要可靠供应链和技术支持的开发者，可以通过授权的ST代理商获取该产品，以确保原装正品和完整的应用支持。

得益于其高耐压、低栅极电荷和良好的热特性，STP5N105K5非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动和逆变器中的功率开关环节。在这些应用中，它能够有效降低系统能耗，提升功率密度，并确保长期运行的稳定性。

• 型号:STP5N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括高达1050V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高电压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态参数上：最大栅极电荷（Qg）仅为12.5nC，导通电阻（RDS(on)）在特定条件下为3.5欧姆。这些特性共同作用，旨在实现更低的开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体效率。该器件适用于要求高耐压和高开关性能的电源与电机控制应用场景。