STP5N60M2

STP5N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。其核心在于第二代改进的超结技术，通过精心设计的电荷平衡机制，显著降低了单位面积的导通损耗，同时维持了稳健的雪崩耐量和较低的栅极电荷，为高效能开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC变换器、功率因数校正（PFC）等应用中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.7A，结合低至1.4欧姆（@1.85A, 10V）的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通期间的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了较高的设计裕度和抗干扰能力。

在动态特性方面，极低的栅极电荷（Qg，最大值4.5nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值165pF @ 100V）是其突出亮点。这些参数直接决定了开关速度与驱动电路的功率需求，较低的Qg和Ciss意味着更快的开关瞬态和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件采用经典的TO-220通孔封装，最大功耗为45W（Tc），结温（Tj）最高可工作于150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与散热性能。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持、样品与供货信息。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的综合优势，STP5N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的中功率场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明用电子镇流器、电机驱动辅助电源以及不间断电源（UPS）的功率转换部分。其稳健的设计使其成为工程师在构建工业控制、家用电器和办公设备电源解决方案时的优选功率开关器件。

• 型号:STP5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和3.7A的连续漏极电流（Id），为离线式电源应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。它具备较低的导通电阻（1.4欧姆 @ 1.85A, 10V）以最小化导通损耗，同时拥有极低的栅极电荷（4.5nC @ 10V）和输入电容（165pF @ 100V），这有助于实现高速开关并降低驱动要求，从而提升系统整体效率与功率密度。这些参数使其成为中功率开关电源设计的理想选择。