STP5NK50Z

STP5NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的掺杂和蚀刻工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关性能和雪崩耐量，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压环境中表现卓越。其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，能够从容应对工业级AC-DC变换、电机驱动等场合的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为4.4A，结合最大仅1.5欧姆的导通电阻（在2.2A，10V条件下），意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。此外，较低的栅极电荷（Q_g，最大值28nC）和输入电容（C_iss）有助于减少开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于提高开关电源的工作频率至关重要。

在接口与封装方面，STP5NK50Z采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，其最大功率耗散能力为70W（壳温条件）。该封装形式便于安装在散热器上，适用于需要处理中等功率的场合。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其500V的耐压、适中的电流能力以及优化的开关特性，STP5NK50Z非常适合于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及家用电器或工业设备中的电机驱动和继电器替代等应用。在这些场景中，它能够有效提升电源转换效率，简化电路设计，并凭借其稳健性保障系统的长期稳定运行。

• 型号:STP5NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括500V的漏源电压（V_DSS）和4.4A的连续漏极电流（I_D）。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与高耐压的良好结合，在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为1.5欧姆，这有助于降低导通损耗。同时，器件具备较低的栅极电荷和输入电容，有利于实现高效的快速开关操作。TO-220AB封装提供了便利的散热路径，适用于功率转换和电机控制等领域的电路设计。