STP5NK60Z

STP5NK60Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。该技术平台通过增强的单元密度和沟道迁移率，使得器件能够在高电压下保持稳定的性能。

在功能特性上，这款MOSFET展现出卓越的电气性能。其600V的漏源击穿电压（Vdss）为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及照明镇流器等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.6欧姆（@2.5A），这直接转化为更低的通态损耗，有助于减少发热并提升能效。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值34nC @10V）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，使得它能够胜任较高频率的开关操作。

该器件的接口与参数设计充分考虑了工业应用的严苛要求。它采用标准的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其外壳（Tc）条件下的最大功耗可达90W。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，这为驱动电路的设计提供了灵活性和鲁棒性。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购和咨询。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，STP5NK60Z非常适合于中功率的AC-DC开关电源、LED驱动电源、电机控制辅助电源以及家用电器中的功率开关电路。它在反激式、正激式等主流拓扑中作为主开关管或同步整流管（需配合相应控制）时，能够有效提升电源的功率密度和转换效率，是工程师在设计和优化功率电子系统时的一个可靠选择。

• 型号:STP5NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态特性之间的平衡，为离线式电源应用提供了高可靠性的开关解决方案。

其关键电气参数包括：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.6欧姆（@2.5A），有助于降低传导损耗；最大栅极电荷（Qg）仅为34nC（@10V），配合690pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，从而降低开关损耗。器件采用TO-220AB封装，在壳温条件下支持5A的连续漏极电流和90W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。