STP5NK65ZFP

STP5NK65ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-220FP。该器件设计用于高压开关应用，其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种技术路径使得器件在保持高阻断电压能力的同时，能够有效降低导通损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了基础。

该MOSFET的显著特性在于其高耐压与良好的动态性能组合。其漏源电压额定值高达650V，为应对工业及消费类电源中的电压尖峰和反激电压提供了充足的裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和2.1A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻最大值仅为1.8欧姆，有助于减少通态功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在35nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值为680pF（@25V），这意味着器件所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关过程中的损耗。

在电气参数与接口方面，STP5NK65ZFP在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）为4.5A，最大栅源电压（Vgs）为±30V，确保了驱动的安全范围。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@50A），属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器接口。器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为25W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，保证了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品来源与后续服务的重要途径。

基于其技术特性，该器件非常适合应用于需要高效、可靠高压开关的场合。典型应用包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机控制中的辅助电源部分。其高耐压和优化的开关特性使其在反激、正激等拓扑结构中能够有效提升系统整体效率与功率密度。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续性项目中，它仍然是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:STP5NK65ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP5NK65ZFP是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于650V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数相结合，导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大为1.8欧姆，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，这共同保障了器件在高电压应用中兼具低导通损耗与快速的开关性能。

该器件在25°C壳温下可承受4.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为25W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了良好的热性能和运行可靠性。其4.5V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）便于驱动，±30V的Vgs最大值提供了安全的驱动裕度。这些特性使其成为离线式电源、功率因数校正和电子镇流器等高压开关应用的经典选择。